每種產品都有它的工藝流程，氧化鋁陶瓷基板常用于電路板中，有很好的導熱性和導電性的平衡作用，而氧化鋁陶瓷基板制作而成，要經過很多種工藝技術，接下來看看都有什么工藝流程。

　　一、氧化鋁陶瓷基板的加工技術目前市場上大部分采用HTCC工藝、厚膜工藝、LTCC工藝、DBC工藝。

　　1、HTCC工藝

　　HTCC工藝是一種高溫共燒工藝。 HTCC陶瓷加熱元件是高溫共燒陶瓷加熱元件。采用鎢、鉬等難熔金屬加熱電阻漿料設計。鉬和錳基加熱電路。要求92-96%氧化鋁鑄造陶瓷生坯，4-8%燒結助劑層壓，1500-1600℃高溫共燒，耐腐蝕耐高溫印刷。耐溫性，具有壽命長、有效節(jié)能、溫度均勻、導熱性好、熱補償快等優(yōu)點，不含鉛、鎘、汞、多溴聯苯、多溴聯苯醚等有害物質。

　　2、厚膜工藝

　　氧化鋁陶瓷基板薄膜工藝薄膜法是微電子制造中金屬薄膜沉積的主要方法，以直接鍍銅為代表。直接鍍銅（DPC）主要采用蒸鍍、磁控濺射等表面沉積工藝對基板表面進行金屬化處理。首先在真空條件下濺射鈦、鉻，然后是銅顆粒，后面通過電鍍增厚。正常的PCB工藝完成電路制造，后續(xù)通過電鍍/化學鍍增加電路厚度。

　　3、LTCC 流程

　　LTCC工藝是一種低溫共燒陶瓷，將低溫燒結的陶瓷粉末制成精密、高密度的生坯陶瓷帶，通過激光鉆孔、微孔灌漿、精密導體將陶瓷帶印刷在坯體上。粘貼。創(chuàng)建任意電路圖案，在多層陶瓷基板上嵌入多個無源元件（低電容電容器、電阻器、濾波器、阻抗轉換器、耦合器等），并將它們堆疊起來。內外電極可由銀、銅、金等金屬制成，可在900℃下燒結，形成三維空間互不干擾的高密度電路。也可以是內置無源元件的三維電路板，IC和其他材料可以安裝在表面上，通過將源器件做成無源/有源集成功能模塊，可以進一步降低和提高電路密度，特別是對于高頻通信元件。

　　4、DBC處理流程

　　DBC 工藝適用于大多數陶瓷基板。金屬結晶度好，平整度好，線不易脫落，線位更準確，線距小，可靠性穩(wěn)定。

　　氧化鋁陶瓷DBC工藝陶瓷覆銅板，簡稱DBC，由陶瓷基板、粘合層和導電層組成。是指將銅箔在高溫下直接貼附在氧化鋁或氮化鋁陶瓷基材表面的一種特別加工方法。它具有高導熱性、高結合強度、優(yōu)良的可焊性和優(yōu)良的電絕緣性，但不能有通孔、精度差、表面粗糙。線寬只能用在寬的空間，不能用在細的空間，所以單靠大批量生產是無法實現小規(guī)模生產的。

　　二、氧化鋁陶瓷基板制造工藝和氧化鋁陶瓷基板制造工藝中的重要技術環(huán)節(jié)

　　1、磁控濺射：利用氣體輝光放電過程中產生的正離子與靶表面原子之間的能量和動量交換，將材料從源轉移到基板上，實現薄膜沉積。

　　2、鍍銅孔：在連接層之間鉆銅線后，層間電路不開路。因此，需要在孔壁上形成導電層來連接布線。該工藝在行業(yè)中通常稱為“PTH”，工藝流程主要包括除渣、化學鍍銅和電鍍銅三個工序。

　　3、鉆孔：用機械鉆孔在金屬層之間形成連接管。

　　4、干膜壓機：制作感光蝕刻感光層。

　　5、外部導線的蝕刻：一種利用化學反應或物理沖擊去除材料的技術，蝕刻的效果體現在對特定圖案的選擇性去除上。

　　6、外層曝光：貼上感光膜后，電路板在制作過程中與內層類似，再次曝光顯影。這種照相膠卷的主要作用是確定需要電鍍的區(qū)域，我們涵蓋的領域是不需要電鍍的領域。

　　三、氧化鋁陶瓷基板的電鍍

　　氧化鋁陶瓷基板的鍍鎳方法分為鍍鎳和化學鍍鎳，陽極由金屬鎳制成，陰極是鍍件。施加直流電以將其沉積在陰極（電鍍部分）上。上層為均勻致密的鍍鎳層，鎳在空氣和堿液中具有良好的化學穩(wěn)定性，并且不易變色，它僅在 600°C 以上氧化。在硫酸和鹽酸中溶解緩慢，在稀硝酸中易溶解。它具有優(yōu)異的耐腐蝕性，因為它很容易被濃硝酸鈍化。鍍鎳很硬，易于拋光，對光的反射率很高，缺點是它是多孔的。

　　主要任務是完全剝離電鍍抗蝕劑并將要蝕刻的銅暴露在蝕刻劑中，使用堿性蝕刻劑蝕刻銅，因為布線區(qū)的頂部已經鍍錫了，但是布線已經鍍錫了，所以保持布線區(qū)的布線，保持布線區(qū)的布線，路由區(qū)提供集成線路板。

　　四、鑄造法是制作氧化鋁陶瓷基板的成型方法。

　　鑄造法是在陶瓷粉體中加入溶劑、分散劑、粘合劑、增塑劑等，使?jié){料均勻分散，然后用鑄造機制造出不同規(guī)格的陶瓷片材的制造工藝，稱為刮板成型法。

　　該工藝的優(yōu)點：設備操作方便，生產效率高，可連續(xù)操作，自動化程度高，增加了胚體的密度和隔膜的彈性。技術成熟，生產規(guī)格可控，適用范圍廣。